1,2,3-Бензотриазо'л,органическое соединение; белые игольчатые кристаллы; t пл96—98,5°С, в воде не растворяется, растворим в спирте, бензоле. Получают Б. действием KNO 2на о-фенилендиамин в кислой среде. Применяют в аналитической химии для осаждения и количественного определения металлов (например, Cu, Ag, Zn), а также в фотографии как антивуалирующее средство.
      1,2,3-Бензотриазол.

       2,4-Д, сокращённое название одного из —2,4-дихлорфеноксиуксусной кислоты.

       «30 лет Сове'тской А'рмии и Фло'та», медаль; см. в ст. .

       «40 лет Вооружённых Сил СССР»,медаль, см. в ст. .

       8-Оксихиноли'н, (-оксихинолин, оксин, светло-жёлтые кристаллы; t пл75—76 °С;
      растворим в органических растворителях, щелочах и кислотах, в воде — плохо. Способность 8-О. образовывать со многими катионами металлов малорастворимые в водных растворах (уксусной кислоты, аммиака и др.) кристаллические внутрикомплексные соли (хелаты), например Mg (C 9H 6ON) 2, Al (C 9H 6ON) 3, используется на практике для определения и разделения ряда металлов (Al, Zn, Cd, Mg и др.). Некоторые производные 8-O. применяют в качестве фунгицидов [например, медную соль (C 9H 6ON) 2Cu] и антисептиков амёбоцидного и наружного действия (например, хинозол, энтеросептол, ятрен).

       «Acadйmia»,советское издательство. Основано в 1922 в Петрограде как частное, затем преобразовано в издательство при Государственном институте истории искусств в Ленинграде. После перевода в Москву в 1938 слилось с Гослитиздатом. Председателем редакционного совета «А.» был М. Горький. С конца 20-х гг. издательство выпускало серии книг: «Сокровища мировой литературы», «Классики мировой литературы», «Памятники литературного, общественного, художественного быта и искусства», а также памятники литературы народов СССР и др. Издания «А.» обычно сопровождались вступительными статьями, научными комментариями, отличались высокой культурой полиграфического оформления.

       L-фо'рмы бакте'рий, см. .

       Monumenta Germaniae Historica(лат., сокращенно MGH), Памятники истории Германии, многосерийное издание источников по истории Германии 500—1500. Публикация начата в 1826 обществом по изучению ранней германской истории (основана в 1819 по инициативе Г. Ф. К. ) .В 1823—73 изданием руководил Г. Пертц. В 1875 была создана центральная дирекция MGH. С 1946 публикацией ведает специальный институт под названием «MGH. Герм. институт по изучению средневековья» (центральная дирекция находится с 1948 в Мюнхене), отделения MGH имеются при АН ГДР и при Австрийской АН в Вене.
        Публикация состоит из пяти основных серий: I. Исторические писатели (лат. Scriptores, сокращенно SS); II. Законы (Leges, LL); III. Грамоты (королей и императоров) (Diplomata, DD); IV. Письма (Epistolae, Epp); V. Древности (Antiquitates, АА). В процессе работы появился ряд дополнений, а также переиздания, в том числе сокращённые для учебных целей (в пер. на немецкий язык — Geschichtsschreiber der deutschen Vorzeit, v. 1—103, 1847—1959). В подготовке публикаций приняли участие крупные учёные (Г. Вайц, В. Ваттенбах и др.).

       p-n-перехо'д, то же, что .

       S-ма'трица,то же, что .

       S-прибо'ры,полупроводниковые приборы, действие которых основано на S-oбразной вольтамперной характеристике, на которой есть один ( АВ) или несколько участков с (см. рис. ). У полупроводниковых приборов существует 2 типа нелинейных вольтамперных характеристик. Один из них характеризуется N-oбразной формой (см. , ), другой — S-oбразной. S-п. реализуются различными способами. Первым S-п. был кристадин. К S-п. относятся четырёхслойные структуры, в которых чередуются слои полупроводника с проводимостями n- и р-типов (тетристор). Четырёхслойная структура содержит три р— n-перехода (см. ). Рабочий диапазон токов и напряжений тетристоров колеблется от единиц до десятков и сотен аи от десятков до нескольких сотен ви выше. Др. распространённым S-п. является двухбазовый диод (однопереходный транзистор), у которого имеются 3 электрода и 2 цепи — эмиттерная и межбазовая. При наличии тока в межбазовой цепи в эмиттерной цепи возникает S-xapakтеристика. S-xapakтеристику имеют также при определённых условиях лавинные , Ганна диоды и лавинно-инжекционные .
        Наибольшее практическое применение получили четырёхслойные структуры; они используются в электротехнической промышленности, в силовой и преобразовательной технике (где они вытеснили громоздкие и ненадёжные ) и в электронике. Широкое распространение получил и двухбазовый диод, на основе которого создаются и линии задержки. В перспективе — использование четырёхслойных структур и однопереходных транзисторов в микроэлектронике.
        Вводя в полупроводник примеси, создающие глубоколежащие энергетические уровни в запрещенной зоне, значительно повышают его сопротивление. При протекании тока первоначальное низкое сопротивление восстанавливается (компенсируется), причём часто повышение проводимости полупроводника сопровождается понижением падения напряжения на нём в то время, как ток растет. Это и обусловливает S-oбразную вольтамперную характеристику. Известны S-п. на компенсированных Si, Ge, GaAs и др. материалах. В большинстве случаев переход от высокого сопротивления к низкому сопровождается шнурованием тока, т. е. уменьшением поперечного сечения токового канала. Шнурование тока имеет место (в пренебрежении собственными магнитными полями тока) только в S-п. Например, в S-диодах из Si, компенсированного кадмием, удалось наблюдать скачкообразное уменьшение диаметра сечения токового канала от 400 мкмдо 80—100 мкм. Шнурование тока наблюдается в компенсированном Ge, четырёхслойных структурах и т. д. С увеличением тока шнур расширяется так, что плотность тока в нём остаётся постоянной. При этом шнур может занять всю площадь контакта, как бы велика она ни была. Шнур может перемещаться как целое (например, в магнитном поле), не меняя величины поперечного сечения. Обе особенности указывают на возможности практического использования S-п. для создания коммутаторов и переключателей тока высокой надёжности.
        S-п. имеют по крайней мере 2 устойчивых состояния. Это позволяет создавать на их основе нейристоры, представляющие собой электронную модель окончания нервной клетки — . В S-п., созданных на основе компенсированного CaAs, наблюдается свечение при переходе прибора из высокоомного состояния в низкоомное. Т. е., S-п. может быть управляемым источником света.
        Находят применение также тетристоры. Возможно управление тетристорами при помощи падающего на них пучка света.
        Лит.:Лосев О. В., Детектор-генератор, детектор-усилитель, «Телефония и телеграфия без проводов», 1922, № 14; Гаряинов С. А., Абезгауз И. Д., Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением, М., 1970; Полупроводниковые приборы и их применение. Сб. ст., под ред. Я. А. Федотова, в. 19, М., 1968; то же, в. 25, М., 1971; Стафеев В. И., Модуляция длины диффузионного смещения как новый принцип действия полупроводниковых приборов, «физика твердого тела», 1959, т. 1, в. 6; Волков А. Ф., Коган Ш. М., Физические явления в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью, «Успехи физических наук», 1968, т. 96, в. 1.
         Г. М. Авакьянц.
      Рис. к ст. S-приборы.

       Ta'bula Ra'sa(латинский — гладкая, чистая доска для письма), термин ,означающий состояние сознания человека, ещё не располагающего вследствие отсутствия внешнего чувств, опыта каким-либо знаниями (например, новорождённый). Термин «Т. R.», появившийся ещё в античной философии (у Платона, Аристотеля, в стоицизме), встречается в различных значениях у Альберта фон Больштедта, Фомы Аквинского и др. Т. Гоббс и П. Гассенди сравнивали человеческое сознание с доской, на которую опыт наносит свои знаки. Широкую известность термин получил после Дж. ,использовавшего его в своей критике теории (см. «Опыт о человеческом разуме», в книге: Избр. философские произведения, т. 1, М., 1960).

       «XX лет рабо'че-крестья'нской Кра'сной А'рмии»,медаль; см. .